11 月 18 日消息，近期納微半導(dǎo)體宣布，采用全新 GaNSense 技術(shù)的 GaNFast 氮化鎵功率芯片已正式發(fā)布。這也是全球首款智能 GaNFast 氮化鎵功率芯片，它將能更有效地解決適配器的發(fā)熱問題，同時還能繼續(xù)保持安全、穩(wěn)定、高功率的充電體驗，讓原來采用 GanFast 氮化鎵功率芯片的充電器使用體驗得到進一步提升。
此外，如果氮化鎵功率芯片識別到有潛在的系統(tǒng)危險，該芯片將迅速過渡到逐個周期的關(guān)斷狀態(tài)，以保護器件和周圍系統(tǒng)。GaNSense 技術(shù)還集成了智能待機降低功耗功能，在氮化鎵功率芯片處于空閑模式時，自動降低待機功耗，有助于進一步降低功耗。
憑借嚴(yán)格的電流測量精度和 GaNFast 響應(yīng)時間，GaNSense 技術(shù)縮短 50% 的危險時間，危險的過電流峰值降低 50%。GaNFast 氮化鎵功率芯片單片集成提供了可靠的、無故障的操作，沒有“振鈴”，從而提高了系統(tǒng)可靠性。
IT之家獲悉，采用 GaNSense 技術(shù)的新一代納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片有十個型號，都集成了氮化鎵功率器件、氮化鎵驅(qū)動、控制和保護的核心技術(shù)，所有產(chǎn)品的額定電壓為 650V/800V，具有 2kV ESD 保護。新的 GaNFast 功率芯片的 RDS (ON) 范圍為 120 至 450 毫歐，采用 5 x 6 mm 或 6 x 8 mm PQFN 封裝，具有 GaNSense 保護電路和無損電流感應(yīng)。
作為納微第三代氮化鎵功率芯片，針對現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)進行了優(yōu)化，包括高頻準(zhǔn)諧振反激式(HFQR)、有源鉗位反激式(ACF)和 PFC 升壓，這些都是移動和消費市場內(nèi)流行的提供最快、最高效和最小的充電器和適配器的技術(shù)方法。
截止至 2021 年 10 月，納微半導(dǎo)體已出貨超過 3000 萬顆納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片，在現(xiàn)場測試實現(xiàn)了超過 1160 億個設(shè)備小時，并且沒有任何關(guān)于 GaN 現(xiàn)場故障的報告。
與傳統(tǒng)的硅功率芯片相比，每顆出貨的 GaNFast 氮化鎵功率芯片可以減少碳足跡 4-10 倍，可節(jié)省 4 千克的二氧化碳排放。而在目標(biāo)市場 —— 智能手機和筆記本電腦快充充電器市場等 —— 估計每年會有 20 億美元的氮化鎵市場機會，以及每年 20 億美元的消費市場機會。
