5 月 9 日消息，據(jù)微星消息，經(jīng)過(guò)工程師對(duì)主板與內(nèi)存的持續(xù)優(yōu)化，近期微星旗下的 X670 與 B650 等 AM5 平臺(tái)主板對(duì)主流的海力士 A DIE 顆粒與 M DIE 顆粒進(jìn)行了一波優(yōu)化。

據(jù)介紹，在 BIOS 的超頻界面下有個(gè) High Efficiency mode 高效模式，在其中選擇 Memory Timing Preset 選項(xiàng)，這里分為 4 個(gè)等級(jí)，可以根據(jù)自己的顆粒特性去選擇合適的選項(xiàng)。

以 MPGX670E CARBON WIFI 暗黑為例，使用海力士 A DIE 顆粒內(nèi)存，F(xiàn)CLK 2100，UCLK 同步，設(shè)置上選擇 Tightest 選項(xiàng)。開(kāi)啟后讀寫(xiě)速度分別提升了 16% 與 20%，延遲也從 61.7ns 降低到 57.1，說(shuō)明在頻率均為 6400MHz 時(shí)內(nèi)存性能得到了有效的提升。

除了海力士 A DIE 顆粒外，海力士的 M DIE 顆粒內(nèi)存經(jīng)過(guò)實(shí)測(cè)也有提升，其中讀取提升 15.8%，寫(xiě)入提升約 11.5%。

上述功能是通過(guò) BIOS 更新來(lái)實(shí)現(xiàn)，有需要的玩家可以通過(guò)更新最新版 BIOS 來(lái)體驗(yàn)。

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