目前閃存技術(shù)正在不斷升級迭代，各大閃存廠商為了升級容量降低原價，開始不斷研發(fā)更高堆棧層數(shù)的閃存芯片。

近日據(jù)媒體報道，SK海力士宣布11月份向主要客戶交付基于128層1Tb 4D NAND的工程樣品，并比預(yù)期提前量產(chǎn)。本次樣品包括1TB UFS 3.1、2TB客戶端cSSD、16TB企業(yè)級eSSD，計劃將于2020年實現(xiàn)在5G手機、PC、企業(yè)級市場的商用。

在今年上半年，三星和SK海力士率先公開發(fā)布128層3D NAND，相較于96層3D NAND具有更高的容量以及更明顯的成本優(yōu)勢。

除了三星、SK海力士，西部數(shù)據(jù)/鎧俠、美光/英特爾等也研發(fā)了128層3D NAND，將正式打開TB級產(chǎn)品普及的戰(zhàn)局。

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