6月2日消息，據(jù)國外媒體報道，三星電子日前表示，計劃投資8萬億韓元(約合人民幣466億元)在韓國平澤工業(yè)園區(qū)建NAND閃存生產(chǎn)線。

生產(chǎn)線建設(shè)上月已經(jīng)開始，預計2021年下半年開始生產(chǎn)三星最先進的V-NAND產(chǎn)品。

三星電子表示，此次投資旨在應對隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等第四次工業(yè)革命，以及5G普及而來的NAND需求。

上月，三星電子還透露，已在平澤投資建設(shè)生產(chǎn)線，新產(chǎn)線專注于基于極紫外光刻(EUV)技術(shù)的5nm、及以下制程。新產(chǎn)線已開始建設(shè)，預計明年下半年開始量產(chǎn)5nm芯片。

三星電子表示，加上平澤生產(chǎn)線，韓國將擁有7條芯片制造產(chǎn)線。

三星電子去年4月曾提出“半導體愿景2030”，計劃到2030年對系統(tǒng)芯片研發(fā)和生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域投資133萬億韓元(約合人民幣7658億元)。

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