7 月 7 日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，三星電子 6 月 30 日在官網(wǎng)宣布，他們采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)的 3nm 制程工藝，已在當(dāng)日開始初步生產(chǎn)芯片，先于臺(tái)積電采用 3nm 工藝代工晶圓。

目前距離三星電子宣布初步生產(chǎn)已有一周的時(shí)間，外媒在報(bào)道中，也給出了他們 3nm 制程工藝的更多信息。

外媒最新的報(bào)道顯示，三星電子 3nm 制程工藝的首家客戶，將是國內(nèi)的一家專用集成電路應(yīng)用公司，不過他們并未披露公司的具體名稱。

外媒在報(bào)道中還提到，作為三星電子晶圓代工最大客戶的高通，也已經(jīng)預(yù)訂了 3nm 工藝的產(chǎn)能。消息人士透露，根據(jù)兩家公司達(dá)成的協(xié)議，高通是隨時(shí)都可以要求三星采用這一工藝為他們代工芯片。

不同于 7nm、5nm 等工藝所采用的鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)架構(gòu)，三星電子的 3nm 制程工藝，是率先采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)。三星電子在官網(wǎng)上表示，同 5nm 工藝相比，他們的第一代 3nm 制程工藝所代工的芯片，功耗降低 45%，性能提升 23%，芯片面積減少 16%。

三星電子在晶圓代工領(lǐng)域的競爭對手臺(tái)積電，目前也在推進(jìn) 3nm 工藝的量產(chǎn)事宜，他們是計(jì)劃在今年下半年量產(chǎn)，他們的 3nm 工藝，仍繼續(xù)采用鰭式場效應(yīng)晶體管架構(gòu)。

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