2022年12月9日，中國，蘇州——全球半導體存儲解決方案領導廠商華邦電子今日宣布，憑借對技術創(chuàng)新的不斷追求以及絕佳的產(chǎn)品性能，華邦推出的新一代內(nèi)存產(chǎn)品HYPERRAM™ 3.0榮獲電子發(fā)燒友主辦的2022年第七屆中國IoT技術創(chuàng)新獎。

中國IoT創(chuàng)新獎由領先的電子媒體電子發(fā)燒友（Elecfans）于2016年創(chuàng)立，是中國IoT行業(yè)最具專業(yè)性和影響力的行業(yè)獎項，獲得業(yè)界的廣泛認可。該獎項旨在發(fā)掘和表彰IoT行業(yè)中的杰出技術和領導者，以及在過去一年中被市場和行業(yè)用戶高度關注并認可的創(chuàng)新產(chǎn)品，以此激勵更多優(yōu)秀人士為IoT技術進步和行業(yè)發(fā)展賦能。

HYPERRAM 產(chǎn)品特性

HYPERRAM系列產(chǎn)品適用于電池供電和空間受限且需要片外RAM的物聯(lián)網(wǎng)應用，是相較于傳統(tǒng)pseudo-SRAM 更為先進的替代選擇。HYPERRAM 3.0是HYPERRAM系列的第三代產(chǎn)品，1.8V 工作電壓下的最高運行頻率為200MHz，與HYPERRAM 2.0和OCTAL xSPI RAM相同，但數(shù)據(jù)傳輸速率提高至 800MBps，是以往產(chǎn)品的兩倍。新一代HYPERRAM配備了具有22個引腳的擴展IO HyperBus™接口。

HYPERRAM的三大關鍵特點是低引腳數(shù)、低功耗和驅(qū)動簡單，可顯著提升物聯(lián)網(wǎng)終端設備的性能。與低功耗DRAM、SDRAM和CRAM/PSRAM相比，HYPERRAM大幅簡化了PCB布局設計，延長了移動設備的電池壽命。此外搭配HYPERRAM的處理器體積更小且具備更少的引腳數(shù)，同時數(shù)據(jù)傳輸速率也得到提高。

艾瑞咨詢數(shù)據(jù)顯示，2022年中國AIoT產(chǎn)業(yè)發(fā)展進入快速增長期，物聯(lián)網(wǎng)芯片和智能設備需求相應猛增。此次HYPERRAM 3.0斬獲中國IoT技術創(chuàng)新獎是對華邦不斷創(chuàng)新的深度肯定。HYPERRAM系列是可穿戴設備等低功耗物聯(lián)網(wǎng)應用的理想之選，同時也適用于汽車儀表盤、信息娛樂和遠程通信系統(tǒng)、工業(yè)機器視覺、HMI顯示器和通信模組等。

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關于華邦

華邦電子為全球半導體存儲解決方案領導廠商，主要業(yè)務包含產(chǎn)品設計、技術研發(fā)、晶圓制造、營銷及售后服務，致力于提供客戶全方位的利基型內(nèi)存解決方案。華邦電子產(chǎn)品包含利基型動態(tài)隨機存取內(nèi)存、行動內(nèi)存、編碼型閃存和TrustME®安全閃存，廣泛應用在通訊、消費性電子、工業(yè)用以及車用電子、計算機周邊等領域。華邦總部位于中國臺灣中部科學園區(qū)，在美國、日本、以色列、中國大陸及香港地區(qū)、德國等地均設有子公司及服務據(jù)點。華邦在中科設有一座12寸晶圓廠，目前并于南科高雄園區(qū)興建新廠，未來將持續(xù)導入自行開發(fā)的制程技術，提供合作伙伴高質(zhì)量的內(nèi)存產(chǎn)品。

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