今日消息，英特爾在一項(xiàng)被稱作自旋電子學(xué)的技術(shù)方面取得了進(jìn)展，未來芯片尺寸可縮小5倍，能耗可降低至多30倍。

目前的計(jì)算機(jī)芯片利用微型開關(guān)(晶體管)處理數(shù)據(jù)，自旋電子學(xué)能完成相似的任務(wù)，但元器件尺寸更小、更節(jié)能。自旋是量子力學(xué)的一種基本屬性，電子像微型磁鐵一樣運(yùn)動(dòng)，有北極和南極，通過改變磁場的方向來存儲(chǔ)或處理數(shù)據(jù)。

幾十年來，芯片依賴于一種被稱作CMOS的技術(shù)。隨著元器件尺寸日趨接近單個(gè)原子大小，芯片的發(fā)展嚴(yán)重受到了限制。

英特爾-加州大學(xué)的研究人員利用多鐵性材料的自旋性質(zhì)做過研究，被稱作MESO。 研究人員表示，與CMOS晶體管相比，MESO芯片對(duì)能耗的要求要低得多，因?yàn)樗鼈儾恍枰娔芫湍鼙３中畔ⅲ峁┰诳臻e時(shí)更節(jié)能的休眠狀態(tài)。

關(guān)鍵詞： 英特爾超級(jí)芯片