11月14日消息，據(jù)國外媒體報道，三星電子計劃在年底全面建成的P3晶圓廠，建設(shè)延期，將推遲到明年建成。

外媒是根據(jù)知情人士的透露，報道三星電子P3晶圓廠的建成時間推遲的。

從知情人士透露的消息來看，三星電子在10月底，才開始建設(shè)晶圓廠的潔凈室，NAND閃存生產(chǎn)線的建設(shè)，也因此被推遲了一個月。

在推遲之后，三星電子這一工廠NAND閃存生產(chǎn)線的潔凈室，預計在明年一季度建成。

知情人士還透露，NAND閃存生產(chǎn)線的建設(shè)推遲一個月，也影響到了晶圓廠其他階段的建設(shè)，將相應的推遲。

三星電子P3晶圓廠，是他們到目前為止建設(shè)的最大的晶圓廠，在2020年年中開始建設(shè)，占地70萬平方米。

建成時間推遲到明年的三星電子P3晶圓廠，是混合型的晶圓廠，既生產(chǎn)存儲芯片，也生產(chǎn)邏輯芯片。

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