11 月 19 日消息，聞泰科技旗下基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件廠商 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布擴(kuò)展其適用于熱插拔和軟啟動的 ASFET 產(chǎn)品組合，推出 10 款全面優(yōu)化的 25V 和 30V 器件。新款器件將領(lǐng)先的增強(qiáng)安全工作區(qū)(SOA)性能與超低的 RDS(on) 相結(jié)合，非常適合用于 12V 熱插拔應(yīng)用，包括數(shù)據(jù)中心服務(wù)器和通信設(shè)備。
Nexperia(安世半導(dǎo)體)不斷增強(qiáng)器件中關(guān)鍵 MOSFET (金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的性能，滿足特定應(yīng)用的要求，以打造領(lǐng)先的 ASFET(ASFET 是專門為用于某一應(yīng)用而設(shè)計(jì)并優(yōu)化的 MOSFET)。自 ASFET 推出以來，針對電池隔離(BMS)、直流電機(jī)控制、以太網(wǎng)供電(POE)和汽車安全氣囊等應(yīng)用的產(chǎn)品優(yōu)化升級取得成功。
浪涌電流給熱插拔應(yīng)用帶來了可靠性挑戰(zhàn)，Nexperia(安世半導(dǎo)體)專門針對此類應(yīng)用進(jìn)行全面升級，設(shè)計(jì)了適用于熱插拔和軟啟動的 ASFET 產(chǎn)品組合，并增強(qiáng)了 SOA 性能。與之前的技術(shù)相比，PSMNR67-30YLE ASFET 的 SOA (12V @100mS) 性能提高到了 2.2 倍，同時 RDS(on)(最大值)低至 0.7mΩ。與未優(yōu)化器件相比，新款器件不僅消除了 Spirito 效應(yīng)(表示為 SOA 曲線的更高壓區(qū)域中更為陡峭的斜向下曲線)，還同時保持了整個電壓和溫度范圍內(nèi)的出色性能。
Nexperia(安世半導(dǎo)體)通過在 125℃ 下對新款器件進(jìn)行完全表征，并提供高溫下的 SOA 數(shù)據(jù)曲線，消除了熱降額設(shè)計(jì)的必要性，從而為設(shè)計(jì)人員提供進(jìn)一步支持。
IT之家獲悉，8 款新產(chǎn)品(3 款 25V 和 5 款 30V)現(xiàn)已可選擇 LFPAK56 或 LFPAK56E 封裝，其中 RDS(on) 范圍為 0.7m? 到 2m?，可適用于大多數(shù)熱插拔和軟啟動應(yīng)用。其他 2 款 25V 產(chǎn)品的 RDS(on) 更低，僅為 0.5m?，預(yù)計(jì)將于未來幾個月內(nèi)發(fā)布。
